制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
技术: Si  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-220-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 800 V  
Id-连续漏极电流: 11 A  
Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V  
Qg-栅极电荷: 64 nC  
最小工作温度: - 55 C  
最大工作温度: + 150 C  
Pd-功率耗散: 156 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: CoolMOS  
系列: CoolMOS C3  
封装: Tube  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 10 ns  
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 15 ns  
工厂包装数量: 500  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 72 ns  
典型接通延迟时间: 25 ns  
宽度: 4.4 mm  
零件号别名: SPP11N8C3XK SP000683158 SPP11N80C3XKSA1  
单位重量: 2 g